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ZVN3306FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 150 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZVN3306FTA SOT23
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN3306FTA

ZVN3306FTA概述


    产品简介


    SOT23 N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET
    该产品是一款N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET),采用SOT23封装形式。该器件主要用于开关电源、电机驱动、照明系统和音频放大器等应用领域。由于其出色的电气特性和高可靠性,它广泛应用于各种工业和消费电子产品中。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | 漏源电压 | 60 | V
    | 连续漏电流(Ta=25°C) | 150 | mA
    | 脉冲漏电流 | 3 | A
    | 栅源电压 | ±20 | V
    | 功耗(Ta=25°C) | 330 | mW
    | 结温/存储温度范围 | -55 | +150 | °C
    电气特性:
    | 参数 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | 漏源击穿电压 | 60 | V ID=1mA, VGS=0V |
    | 栅源阈值电压 | 0.8 | 2.4 | V | ID=1mA, VDS=VGS |
    | 零栅压漏电流 | 0.5 | 50 | µA | VDS=60V, VGS=0V |
    | 饱和漏电流(VDS=18V, VGS=10V) | 750 | mA
    | 静态漏源导通电阻(VGS=10V, ID=500mA) | 5 | Ω
    | 输入电容(f=1MHz) | 35 | pF
    | 输出电容(f=1MHz) | 25 | pF
    | 反向传输电容 | 8 | pF
    | 开启延时时间 | 3 | 5 | ns
    | 上升时间 | 4 | 7 | ns
    | 关闭延时时间 | 4 | 6 | ns
    | 下降时间 | 5 | 8 | ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(on)为5Ω,确保低功耗和高效率。
    - 高耐压能力:具有60V的漏源电压,适用于多种高压应用场合。
    - 良好的热稳定性:宽广的工作温度范围(-55°C到+150°C),适合极端环境下的使用。
    - 快速开关特性:极短的开关时间和上升下降时间,提升系统整体性能。
    - 高可靠性:满足严格的绝对最大额定值要求,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    该产品广泛应用于电源管理、电机驱动及信号处理等领域。例如,在一个开关电源应用中,该FET可以作为负载开关来实现高效率的能量转换。为了进一步提高系统的可靠性和性能,建议使用合理的PCB布局和散热设计,以减少寄生效应并保持较低的工作温度。

    兼容性和支持


    此产品与其他标准SOT23封装的元件兼容,易于集成到现有电路中。厂商提供了详细的技术支持文档和快速响应的服务,有助于解决用户的任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极损坏
    - 解决办法:确保栅极驱动电路能够提供足够的保护,避免过高的电压导致栅极损坏。
    2. 问题:温度过高
    - 解决办法:改善散热设计,如增加散热片或采用散热膏,确保工作温度在合理范围内。
    3. 问题:开关速度慢
    - 解决办法:优化PCB布局,减少寄生电感和电容的影响,使用合适的栅极驱动器来加快开关速度。

    总结和推荐


    总体而言,这款SOT23 N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET凭借其低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性,在多个领域展现出卓越的性能。尤其适用于需要高效能量转换和高可靠性应用场景。因此,强烈推荐使用该产品以获得最佳的性能和长期的可靠性。

ZVN3306FTA参数

参数
栅极电荷 0.4nC@ 4.5V
配置 独立式
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 500mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 35pF@18V
Id-连续漏极电流 150mA
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@1mA
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 330mW(Ta)
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1.03mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN3306FTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN3306FTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN3306FTA ZVN3306FTA数据手册

ZVN3306FTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1500+ ¥ 0.7777
3000+ ¥ 0.6765
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