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ZVN3320FTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 60 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 26M-ZVN3320FTA
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN3320FTA

ZVN3320FTA概述


    产品简介


    ZVN3320F N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET
    ZVN3320F是一款采用SOT23封装的N沟道增强型垂直DMOS场效应晶体管(FET)。这类器件广泛应用于各种电力电子系统中,如开关电源、电机驱动、逆变器和照明控制等领域。它们通过控制栅极电压来调节漏极电流,从而实现对电路的高效控制。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 200 V
    - 连续漏极电流 \( ID \)(在环境温度 \( T{amb} \) = 25°C): 60 mA
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 1 A
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 功率耗散 \( P{tot} \)(在环境温度 \( T{amb} \) = 25°C): 330 mW
    - 工作和存储温度范围 \( Tj \): -55°C 到 +150°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 \( B{V(DSS)} \): 200 V
    - 栅源阈值电压 \( V{GS(th)} \): 1.0 ~ 3.0 V
    - 栅体泄漏 \( I{GSS} \): 100 nA
    - 零栅电压漏电流 \( I{DSS} \): 10 µA
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 25 Ω
    - 增益 \( g{fs} \): 75 mS
    - 输入电容 \( C{iss} \): 45 pF
    - 共源输出电容 \( C{oss} \): 18 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 5 pF
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 5 ns
    - 上升时间 \( tr \): 7 ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 6 ns
    - 下降时间 \( tf \): 6 ns

    产品特点和优势


    - 高电压耐受性:能够承受高达200V的漏源电压,适用于高压应用环境。
    - 低导通电阻:静态漏源导通电阻为25Ω,可在小电流下保持较低的导通损耗。
    - 高增益:在25V条件下,增益可达75mS,提供了良好的控制性能。
    - 快速开关特性:开启延迟时间短,上升时间和下降时间仅为几纳秒,适合高频应用。
    - 低漏电流:零栅电压漏电流仅为10 µA,提高了系统的整体效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    ZVN3320F常用于开关电源、电机驱动等电力电子系统中。例如,在开关电源中,它可以作为开关管,实现高效的能量转换。
    使用建议
    - 在使用过程中,应注意散热设计,特别是在大电流情况下。
    - 由于漏源电压较高,应注意保护电路,防止过电压损害。
    - 为了充分发挥其快速开关特性,建议使用短路引线,以减少杂散电感的影响。

    兼容性和支持


    ZVN3320F与其他标准的SOT23封装器件兼容,易于在现有的设计中进行替换。厂商通常提供详尽的技术文档和支持,帮助客户解决使用过程中可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何避免高温引起的器件损坏?
    - 解决办法: 选择合适的散热片,并确保良好的散热路径。同时,注意不要超过器件的最大额定温度。
    2. 问题: 如何降低开启延迟时间?
    - 解决办法: 优化驱动电路的设计,降低驱动电阻,提高驱动速度。
    3. 问题: 如何测量输入和输出电容?
    - 解决办法: 使用电容测量仪器或通过LCR表进行精确测量。

    总结和推荐


    ZVN3320F以其出色的电气特性和可靠的工作性能,适用于多种电力电子应用。其低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力使其在市场上具有很强的竞争力。因此,强烈推荐在需要高性能场效应晶体管的应用中使用此产品。

ZVN3320FTA参数

参数
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 60mA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 200V
最大功率耗散 330mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 45pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 25Ω@ 100mA,10V
配置 独立式
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1.03mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN3320FTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN3320FTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN3320FTA ZVN3320FTA数据手册

ZVN3320FTA封装设计

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3000+ ¥ 0.5375
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