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ZUMT591TA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 600mV@ 100mA,1A PNP 500mW 5V 100nA 80V 60V 1A SOT-323 贴片安装 2.2mm*1.26mm*1mm
供应商型号: AV-S-DIIZUMT591TA
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
DIODES 三极管(BJT) ZUMT591TA

ZUMT591TA概述

    ZUMT591 SOT323 PNP Transistor

    1. 产品简介


    ZUMT591是一款采用SOT323封装的PNP硅平面晶体管。它具有极低的饱和电压、高达500mW的功率耗散能力和1A的连续集电极电流能力。这些特性使得ZUMT591在对空间和重量要求较高的应用中表现出色,例如移动设备、便携式医疗设备和小型消费电子产品。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压(VCBO):-80V
    - 集电极-发射极电压(VCEO):-60V
    - 发射极-基极电压(VEBO):-5V
    - 峰值脉冲电流(ICM):-2A
    - 连续集电极电流(IC):-1A
    - 基极电流(IB):-200mA
    - 功率耗散(Tamb=25°C):500mW
    - 工作及存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):-80V
    - 集电极-发射极击穿电压(VCEO(sus)):-60V
    - 发射极-基极击穿电压(V(BR)EBO):-5V
    - 集电极截止电流(ICBO):-100nA
    - 集电极截止电流(ICES):-100nA
    - 发射极截止电流(IEBO):-100nA
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-0.3V 至 -0.6V
    - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):-1.2V
    - 基极-发射极导通电压(VBE(on)):-1.0V
    - 静态正向电流传输比(hFE):100至300
    - 转换频率(fT):150MHz
    - 输出电容(Cobo):10pF

    3. 产品特点和优势


    - 极低的饱和电压:ZUMT591具有极低的饱和电压,这有助于减少功耗并提高效率,特别适用于需要高能效的应用。
    - 高功率耗散能力:可承受高达500mW的功率耗散,使该晶体管在高温环境下也能稳定工作。
    - 宽广的工作温度范围:能够适应-55°C至+150°C的极端温度条件,适合多种恶劣环境的应用。
    - 优异的电流传输比:静态正向电流传输比(hFE)高达300,使得ZUMT591在驱动大电流负载时表现优秀。

    4. 应用案例和使用建议


    - 移动设备:ZUMT591的低饱和电压和高功率耗散能力使其成为便携式设备的理想选择。例如,在智能手机和平板电脑中,用于调节电源供应。
    - 便携式医疗设备:ZUMT591的小巧尺寸和高性能使其适合在医疗设备中作为开关或放大器。
    - 消费电子产品:由于其优秀的电气特性和可靠性,ZUMT591广泛应用于各种消费电子产品中。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保集电极和发射极之间的电压不超过规定的最大值,以避免击穿风险。
    - 由于静态正向电流传输比较高,应仔细计算负载电流,以防止晶体管过热。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:ZUMT591与其他标准SOT323封装的晶体管具有良好的兼容性,方便用户替换。
    - 支持和服务:Zetex公司提供全球化的技术支持,包括欧洲、美洲和亚洲太平洋地区的分销商和代理商,确保客户在任何地方都能获得及时的支持和帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:晶体管温度过高
    - 解决方案:检查电路设计是否合理,确保晶体管散热良好,必要时增加外部散热器。
    - 问题:集电极电流不稳定
    - 解决方案:检查电路连接是否正确,确保电源电压和负载电流符合晶体管的工作条件。
    - 问题:饱和电压过高
    - 解决方案:优化电路设计,确保基极驱动信号足够强,以降低饱和电压。

    7. 总结和推荐


    ZUMT591 SOT323 PNP晶体管凭借其极低的饱和电压、高功率耗散能力和宽广的工作温度范围,在空间和重量要求较高的应用中表现出色。其优异的电流传输比和可靠性使其成为移动设备、便携式医疗设备和消费电子产品中的理想选择。我们强烈推荐使用这款高性能晶体管来满足各种应用需求。

ZUMT591TA参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 5V
集电极电流 1A
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
最大功率耗散 500mW
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 600mV@ 100mA,1A
集电极截止电流 100nA
最大集电极发射极饱和电压 0.6@ 100mA,1A
VCBO-最大集电极基极电压 80V
配置 独立式
晶体管类型 PNP
长*宽*高 2.2mm*1.26mm*1mm
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZUMT591TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZUMT591TA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZUMT591TA ZUMT591TA数据手册

ZUMT591TA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ $ 0.1093 ¥ 0.9677
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