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ZXMN7A11GTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=70 V, 3.8 A, SOT-223封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 30C-ZXMN7A11GTA SOT223
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN7A11GTA

ZXMN7A11GTA概述

    ZXMN7A11G 70V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN7A11G 是由 Diodes Incorporated 生产的一种新型 70V N-沟道增强模式 MOSFET。它利用独特的沟槽结构将低导通电阻与快速开关速度结合在一起,非常适合用于高效率、低压功率管理应用。该产品具有低导通电阻、快速开关速度、低阈值电压等特点,并且符合环保标准,包括无卤素、锑及 RoHS 合规性。此外,它已通过 AEC-Q101 标准认证,确保高可靠性。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 70V
    - 门源电压 \( VG \): ±20V
    - 持续漏极电流 \( ID \)(\( V{GS} = 10V \),\( TA = +25^\circ C \)): 3.8A
    - 最大连续体二极管正向电流 \( IS \): 5A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 10A
    - 脉冲源电流(体二极管)\( I{SM} \): 10A
    - 热阻抗
    - 结至环境的热阻 \( R{\theta JA} \)(\( TA = +25^\circ C \)): 62.5°C/W 或 32°C/W(具体取决于测试条件)
    - 电气特性
    - 泄漏电流 \( I{DSS} \)(\( V{DS} = 70V \),\( V{GS} = 0V \)): ≤1 μA
    - 阈值电压 \( V{GS(th)} \):1.0V
    - 导通电阻 \( R{DS(ON)} \)(\( V{GS} = 10V \),\( ID = 4.4A \)): ≤0.13Ω

    产品特点和优势


    ZXMN7A11G 的主要优势包括:
    - 低导通电阻:可减少功率损耗,提高能效。
    - 快速开关速度:有助于减小损耗,提高电路整体性能。
    - 低阈值电压:使得驱动更简单,减少门极驱动需求。
    - 环保材料:无卤素、无锑,符合 RoHS 标准,为绿色产品。

    应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 直流-直流转换器
    - 功率管理功能
    - 断开开关
    - 电机控制
    - Class D 音频输出级
    - 使用建议:
    在设计电源转换电路时,考虑到该 MOSFET 的低导通电阻特性,可以有效地减少电路中的功率损耗,提高系统的整体能效。同时,快速开关速度有助于减少电路的电磁干扰(EMI),提升系统稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品适用于标准 SOT223 封装,与同类产品具有良好的互换性。
    - 支持:厂商提供详细的标记信息,包括生产日期码和包装细节,用户可以通过官方网站获取更多相关信息。

    常见问题与解决方案


    - Q: 运行时发热严重?
    - A: 确保良好的散热措施,选择合适的 PCB 布局以提高热传导效率。
    - Q: 开关频率过高导致功耗增加?
    - A: 减少开关频率或者优化电路布局以降低功耗。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN7A11G MOSFET 具有优异的电气性能和广泛的应用范围,适用于多种高效率电源管理应用。其低导通电阻和快速开关速度使得它成为现代电子设备中不可或缺的一部分。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师。
    如果您对 ZXMN7A11G 有任何疑问或需要进一步的支持,欢迎访问 [Diodes Incorporated 官方网站](http://www.diodes.com) 获取更多信息。

ZXMN7A11GTA参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 独立式双drain
Rds(On)-漏源导通电阻 130mΩ@ 4.4A,10V
Vds-漏源极击穿电压 70V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 7.4nC@ 10 V
最大功率耗散 2W(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 298pF@40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
通道数量 1
Id-连续漏极电流 2.7A
长*宽*高 6.7mm*3.7mm*1.65mm
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN7A11GTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN7A11GTA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN7A11GTA ZXMN7A11GTA数据手册

ZXMN7A11GTA封装设计

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1000+ ¥ 2.365
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