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ZVN4306GVTA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 3W(Ta) 20V 3V@1mA 1个N沟道 60V 330mΩ@ 3A,10V 2.1A 350pF@25V SOT-223-3 贴片安装
供应商型号: 30C-ZVN4306GVTA SOT223
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVN4306GVTA

ZVN4306GVTA概述

    ZVN4306GV N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET

    产品简介


    ZVN4306GV 是一款来自 Diodes Incorporated 的N通道增强型垂直DMOS场效应晶体管(FET)。它被广泛应用于各种电子设备中,包括直流-直流转换器、汽车电磁阀/继电器驱动器以及步进电机驱动器。这款FET凭借其高可靠性、环保材料的应用和先进的设计特性,为现代电子系统提供了可靠且高效的选择。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \):60 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \):±20 V
    - 连续漏极电流 \( ID \):2.1 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \):15 A
    - 功率耗散 \( P{tot} \):3 W
    - 重复雪崩电流 \( I{AR} \):1 A
    - 重复雪崩能量 \( E{AR} \):25 mJ
    - 工作和存储温度范围 \( TJ, T{STG} \):-55 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 开启特性:
    - 漏源击穿电压 \( BVDSS \):60 V
    - 零栅压漏极电流 \( I{DSS} \):100 µA @ \( V{DS} = 48V, V{GS} = 0V \)
    - 栅体漏电流 \( I{GSS} \):20 nA @ \( V{GS} = ±20V, V{DS} = 0V \)
    - 静态漏源导通电阻 \( R{DS(ON)} \):0.22 至 0.45 Ω @ \( V{GS} = 5V \)
    - 动态特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \):350 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):140 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \):30 pF
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 \( t{D(ON)} \):8 ns
    - 上升时间 \( tR \):25 ns
    - 关断延迟时间 \( t{D(OFF)} \):30 ns
    - 下降时间 \( tF \):16 ns

    产品特点和优势


    ZVN4306GV 具备一系列独特的功能和优势:
    - 高可靠性和标准认证:符合AEC-Q101标准,确保在高可靠性应用中的性能。
    - 环境友好:采用无卤素和锑的“绿色”材料制造,符合RoHS规范。
    - 卓越的电气性能:低漏源导通电阻(0.33Ω),重复雪崩能力,确保在高频和大电流下的稳定运行。
    - 广泛的适用性:适用于多种应用场合,如直流-直流转换器、汽车电磁阀/继电器驱动器以及步进电机驱动器。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在直流-直流转换器中,该FET可用于高效功率管理,减少热耗散并提高转换效率。
    - 在汽车应用中,特别是在电磁阀和继电器驱动器中,该FET可以提供可靠的开关控制,保障系统稳定性。
    - 在步进电机驱动器中,该FET能够应对频繁切换的需求,保证电机平稳运行。
    使用建议:
    - 确保栅源电压不超过±20V,以避免损坏器件。
    - 在高功率应用中,注意散热管理,使用合适的散热片或冷却装置以防止过热。
    - 使用适当的电路布局和封装设计,特别是建议参考Diodes Incorporated提供的封装尺寸和引脚布局指南。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - ZVN4306GV 采用SOT223封装,易于集成到现有的电路板设计中。其电气特性和封装尺寸使其与市场上主流的电磁阀驱动器和电源转换模块兼容。
    支持:
    - Diodes Incorporated 提供详尽的技术文档和支持,包括详细的电气特性和机械数据。此外,用户还可以访问其官方网站获取更多关于封装尺寸和布局的信息。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 问题:开启延迟时间长?
    - 解决方法:检查栅源电压是否在推荐范围内,同时确认电路布局是否存在寄生电容影响。
    2. 问题:输出不稳定?
    - 解决方法:检查负载情况和电路布局,确保供电电压稳定且栅极驱动信号强度足够。
    3. 问题:发热严重?
    - 解决方法:增加散热措施,如使用散热片或风扇,确保工作温度在安全范围内。

    总结和推荐


    总结:
    ZVN4306GV N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适合于直流-直流转换器、汽车应用和步进电机驱动器等领域。其卓越的电气性能和环境友好的设计使得它在市场上具备显著的竞争优势。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用场景,强烈推荐在需要高效、可靠电力控制和转换的项目中使用 ZVN4306GV。无论是开发新系统还是升级现有系统,它都是一个值得信赖的选择。

ZVN4306GVTA参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 3W(Ta)
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 330mΩ@ 3A,10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 2.1A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 350pF@25V
通用封装 SOT-223-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZVN4306GVTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVN4306GVTA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVN4306GVTA ZVN4306GVTA数据手册

ZVN4306GVTA封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.092
100+ ¥ 3.278
1000+ ¥ 3.036
15000+ ¥ 3.025
30000+ ¥ 3.003
库存: 894
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