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DMN2011UFDF-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2.1W(Ta) 1V@ 250µA 56nC@ 10 V 1个N沟道 20V 9.5mΩ@ 7A,4.5V 2.248nF@10V UDFN-20206 贴片安装
供应商型号: 31-DMN2011UFDF-13DKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 7A,4.5V
配置 -
最大功率耗散 2.1W(Ta)
通道数量 -
栅极电荷 56nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.248nF@10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
通用封装 UDFN-20206
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN2011UFDF-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN2011UFDF-13数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN2011UFDF-13 DMN2011UFDF-13数据手册

DMN2011UFDF-13封装设计

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Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.828 ¥ 6.9966
10+ $ 0.4795 ¥ 4.0519
100+ $ 0.2972 ¥ 2.4875
500+ $ 0.2263 ¥ 1.8937
1000+ $ 0.2034 ¥ 1.7023
2000+ $ 0.1841 ¥ 1.541
5000+ $ 0.1633 ¥ 1.3664
库存: 3425
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 6.99
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