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ZXMN10A08E6TC

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.1W(Ta) 20V 4V@ 250µA 7.7nC@ 10 V 1个N沟道 100V 250mΩ@ 3.2A,10V 1.5A 405pF@50V SOT-26 贴片安装 3.1mm*1.8mm*1.3mm
供应商型号: AV-S-ZXMN10A08E6TC
供应商: Avnet
标准整包数: 10000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC概述

    ZXMN10A08E6 MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    ZXMN10A08E6 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型N沟道MOS场效应晶体管)。这款MOSFET具备低导通电阻和高速开关的特点,非常适合应用于高效率电源管理和直流-直流转换器等领域。其主要应用领域包括但不限于直流-直流转换器、电源管理功能、断路开关及电机控制。

    技术参数


    - 基本电气参数:
    - 漏源电压(V(DSS)):100V
    - 门限电压(V(GS(th))):2.0~4.0V
    - 导通电阻(R(DS(on))):0.25Ω@10V, 3.2A;0.30Ω@6V, 2.6A
    - 最大连续漏极电流(I(D)):1.9A@25°C,1.5A@70°C
    - 最大脉冲漏极电流(I(DM)):8.6A
    - 热特性:
    - 热阻,结到环境(Rθ(JA)):114°C/W(最大)
    - 工作温度范围(T(J), T(STG)):-55°C ~ +150°C

    产品特点和优势


    ZXMN10A08E6 具有以下显著特点:
    - 低导通电阻:最小导通电阻仅为0.25Ω,使得其适用于需要高效能、低损耗的应用场景。
    - 快速开关速度:其具备出色的开关特性,确保在高频电路中表现优异。
    - 完全无铅:符合RoHS标准,环保材料制作。
    - AEC-Q101认证:适合高可靠性要求的应用场景。

    应用案例和使用建议


    根据手册描述,ZXMN10A08E6 可以广泛用于电源管理系统、断路开关、电机控制等多种场合。例如,在一个典型的直流-直流转换器设计中,这款MOSFET能够提供高效的电源转换能力,保证输出的稳定性和可靠性。建议在使用过程中注意散热问题,特别是在高功率工作状态下,要确保良好的热管理措施,比如使用散热片或散热风扇,以避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    ZXMN10A08E6 具备SOT26封装形式,这种小型化封装使其易于集成于现有系统中。Diodes Incorporated为该产品提供了详尽的技术文档和专业支持,以帮助用户更好地理解和使用该器件。此外,公司网站还提供了多种资源下载链接,方便用户获取更多技术资料和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高电流环境下,器件发热严重。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或强制风冷,以提高器件的工作效率。

    - 问题2:电路不稳定,可能存在噪音。
    - 解决方案:检查并改善电路的接地和布局设计,尽量减少寄生电感和寄生电容的影响。

    总结和推荐


    综上所述,ZXMN10A08E6 MOSFET凭借其优良的导通电阻和快速开关性能,在电源管理和直流-直流转换器应用中表现出色。其绿色环保的特性也使其成为现代电子产品中的理想选择。因此,强烈推荐在需要高效率、高可靠性的应用场合中使用这款器件。

ZXMN10A08E6TC参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 405pF@50V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 1.5A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 7.7nC@ 10 V
配置 独立式quaddrain
Rds(On)-漏源导通电阻 250mΩ@ 3.2A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 1.1W(Ta)
长*宽*高 3.1mm*1.8mm*1.3mm
通用封装 SOT-26
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXMN10A08E6TC厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN10A08E6TC数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN10A08E6TC ZXMN10A08E6TC数据手册

ZXMN10A08E6TC封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ $ 0.246 ¥ 2.1767
40000+ $ 0.2355 ¥ 2.0845
50000+ $ 0.221 ¥ 1.9559
库存: 70000
起订量: 10000 增量: 10000
交货地:
最小起订量为:10000
合计: ¥ 21767
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