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DMP2079LCA3-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 810mW 12V 1.2V@ 250µA 1.1nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 78mΩ@ 500mA,8V 3.4A 152pF@10V 贴片安装
供应商型号: DMP2079LCA3-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMP2079LCA3-7

DMP2079LCA3-7概述

    DMP2079LCA3 P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    产品类型: P-Channel Enhancement Mode MOSFET
    主要功能: 作为开关器件用于电池管理、负载开关、电池保护及手持和移动应用。
    应用领域:
    - 电池管理
    - 负载开关
    - 电池保护
    - 手持和移动应用

    2. 技术参数


    最大额定值 (@TA = +25°C):
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): -20 V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): -12 V
    - 持续漏极电流 (VGS = -8V):
    - 稳态:+25°C 下:-3.4 A
    - 稳态:+70°C 下:-2.7 A
    - 持续漏极电流 (VGS = -4.5V):
    - 稳态:+25°C 下:-3.0 A
    - 稳态:+70°C 下:-2.4 A
    - 单脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -13 A
    - 人体模型 ESD: 4 kV
    热特性:
    - 功耗 \( PD \): 0.81 W
    - 结温到环境温度热阻 \( R{\theta JA} \): 155.4 °C/W (TA = +25°C)
    - 功耗 \( PD \): 1.4 W
    - 结温到环境温度热阻 \( R{\theta JA} \): 90.4 °C/W (TA = +25°C)
    - 工作和存储温度范围 \( TJ, T{STG} \): -55°C 至 +150°C
    电气特性:
    - 关断特性 \( BVDSS \): -20 V
    - 零栅电压漏极电流 \( I{DSS} \): -100 nA (VDS = -16V, VGS = 0V)
    - 栅源泄漏电流 \( I{GSS} \): -50 nA (VGS = -12V, VDS = 0V)
    - 通态特性:
    - 栅阈电压 \( V{GS(TH)} \): -0.7 V 至 -1.2 V (VDS = VGS, ID = -250μA)
    - 漏源导通电阻 \( R{DS(ON)} \):
    - VGS = -8V, ID = -0.5A: 64 mΩ 至 78 mΩ
    - VGS = -4.5V, ID = -0.5A: 77 mΩ 至 100 mΩ
    - VGS = -2.5V, ID = -0.5A: 113 mΩ 至 165 mΩ
    - VGS = -1.8V, ID = -0.1A: 188 mΩ 至 600 mΩ
    - 二极管正向电压 \( V{SD} \): -0.7 V 至 -1.0 V (VGS = 0V, IS = -0.5A)
    - 反向恢复电荷 \( Q{RR} \): 1.3 nC (VDD = -10V, IF = -1A)
    - 反向恢复时间 \( t{RR} \): 7.7 ns (di/dt = 100A/μs)
    - 动态特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 152 pF (VDS = -10V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 \( C{oss} \): 78 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 4.3 pF
    - 系列栅极电阻 \( R{G} \): 21 Ω (f = 1MHz, VGS = 0V, VDS = 0V)
    - 总栅极电荷 \( Q{g} \): 1.1 nC (VGS = -4.5V, VDS = -10V, ID = -0.5A)

    3. 产品特点和优势


    低栅极电荷 (Qg & Qgd): 减少了开关损耗,提升了效率。
    小封装尺寸: 易于集成,节省空间。
    超薄高度: 仅 0.225mm,适用于紧凑设计。
    完全无铅且符合RoHS标准: 有利于环境保护。
    无卤素和锑化合物: 绿色环保。
    封装与终端连接: 采用X4-DSN1006-3 (Type B) 封装,便于焊接。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在电池管理系统中,用于电池保护电路。
    - 在手持设备如智能手机和平板电脑中,作为开关器件。
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,建议将该器件安装在散热良好的地方,以避免过热。
    - 在高频率开关应用中,需要注意电容和电荷的影响,选择合适的驱动电路。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该器件兼容常见的电池管理和手持设备中的其他组件。
    - 与X4-DSN1006-3 (Type B) 封装标准兼容。
    支持:
    - 厂商提供详细的电气和机械数据,以及推荐的焊接工艺。
    - 厂商提供技术支持和服务,包括故障排查和维护指导。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1: 设备工作时温度过高。
    解决方案: 确保良好的散热条件,如使用散热片或改进散热设计。
    问题2: 开关速度较慢。
    解决方案: 选择更低的栅极电荷 \( Qg \),或者优化驱动电路。
    问题3: 反向恢复时间较长。
    解决方案: 选用具有更低反向恢复时间的同类器件。

    7. 总结和推荐



    总结

    :
    - DMP2079LCA3 是一款高性能的 P-Channel Enhancement Mode MOSFET,具备低栅极电荷、小封装尺寸和超薄高度等特点。
    - 它适用于多种应用场景,包括电池管理和手持设备。
    - 在设计中,考虑其热管理和驱动电路优化可以显著提升其性能。
    推荐:
    - 强烈推荐在电池管理和其他需要高效能开关的应用中使用 DMP2079LCA3。

DMP2079LCA3-7参数

参数
Id-连续漏极电流 3.4A
Rds(On)-漏源导通电阻 78mΩ@ 500mA,8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 152pF@10V
FET类型 1个P沟道
通道数量 1
最大功率耗散 810mW
配置 独立式
栅极电荷 1.1nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 20V
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMP2079LCA3-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMP2079LCA3-7数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMP2079LCA3-7 DMP2079LCA3-7数据手册

DMP2079LCA3-7封装设计

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