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ZXTP2012ASTZ

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 210mV@ 400mA,4A PNP 1W 7V 20nA 100V 60V 3.5A TO-92 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: 3943429
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTP2012ASTZ

ZXTP2012ASTZ概述

    ZXTP2012A 60V PNP Low Saturation Medium Power Transistor

    产品简介


    ZXTP2012A 是一款专为高效能设计的 60V PNP 低饱和中功率晶体管,采用 E-line 外形封装。这款器件以其极低的导通损耗著称,特别适合应用于直流-直流转换器(DC-DC 转换器)、MOSFET 驱动器、电源开关及电机控制等领域。其卓越的电气特性和紧凑的设计使其成为现代电力管理和驱动应用的理想选择。

    技术参数


    以下是 ZXTP2012A 的关键技术和性能参数:
    - 额定电压:
    - Collector-Base 电压 (BVCBO): -100V
    - Collector-Emitter 电压 (BVCEO): -60V
    - Emitter-Base 电压 (BVEBO): -7V
    - 电流能力:
    - 持续集电极电流 (IC): -3.5A
    - 峰值脉冲电流 (ICM): -15A
    - 功耗:
    - 在 TA = 25°C 时的实际功耗 (PD): 1W
    - 温度每上升 1°C 功耗下降 8mW
    - 工作温度范围:
    - 工作温度 (Tj): -55°C 至 150°C
    - 存储温度 (Tstg): -55°C 至 150°C
    - 热阻抗:
    - 结到环境热阻抗 (RθJA): 125°C/W(PCB 焊点长度为 4mm)
    - 插座模式下的热阻抗 (RθJA): 175°C/W(插脚长度为 10mm)
    - 典型参数:
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(SAT)): -14mV 至 -210mV
    - 增益带宽积 (fT): 120MHz (IC = 100mA, VCE = 10V)

    产品特点和优势


    ZXTP2012A 的核心优势在于其卓越的电气特性,尤其是在低饱和电压和高增益方面的表现。以下是其主要特点:
    1. 极低的导通损耗:饱和电压低至 -14mV,确保高效率运行。
    2. 出色的增益性能:静态电流增益 (hFE) 最高达 300,适合高频和大电流应用。
    3. 可靠的保护机制:绝对最大额定值确保其在极端条件下的安全操作。
    4. 多功能应用:适用于多种高性能电路设计,如 DC-DC 转换器、MOSFET 驱动器等。

    应用案例和使用建议


    ZXTP2012A 广泛应用于以下场景:
    - DC-DC 转换器:因其高效的能量传输和低导通损耗,非常适合高频开关电源。
    - MOSFET 驱动器:可提供强大的驱动能力,用于控制大功率负载。
    - 电机控制:适合工业自动化和家电应用中的电机驱动。
    使用建议:
    1. 保证良好的散热设计,以避免因过热而导致性能下降。
    2. 配合合适的 PCB 设计以优化热传导路径,减少热阻抗。
    3. 在高压或高电流场景下,建议加入额外的保护电路(如二极管和限流电阻)。

    兼容性和支持


    ZXTP2012A 与其他标准 PNP 晶体管兼容,可通过 Zetex 官方渠道获取全面的技术支持。此外,全球分布的技术支持团队提供快速响应的服务,帮助客户解决应用中的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通损耗过高 | 确保连接良好,增加散热措施。 |
    | 开关速度慢 | 减少外部寄生电感,提高驱动信号强度。 |
    | 工作温度异常高 | 改善散热设计,确保周围环境通风良好。 |

    总结和推荐


    ZXTP2012A 是一款高度集成、性能优异的晶体管产品,适合于需要低功耗、高效率的应用场合。其卓越的电气特性和可靠的工作环境使其在市场上具有很强的竞争力。总体评价,我们强烈推荐此产品用于需要高性能、低成本解决方案的工程项目中。
    如需进一步信息,请访问 [www.zetex.com](http://www.zetex.com) 或联系 Zetex 官方技术支持团队。

ZXTP2012ASTZ参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 210mV@ 400mA,4A
VCBO-最大集电极基极电压 100V
集电极电流 3.5A
最大集电极发射极饱和电压 -
晶体管类型 PNP
集电极截止电流 20nA
最大功率耗散 1W
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 7V
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
零件状态 在售
包装方式 盒装,弹夹装

ZXTP2012ASTZ厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTP2012ASTZ数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTP2012ASTZ ZXTP2012ASTZ数据手册

ZXTP2012ASTZ封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 6.0225
10+ ¥ 4.5625
100+ ¥ 4.088
500+ ¥ 4.015
1000+ ¥ 3.942
5000+ ¥ 3.942
库存: 2232
起订量: 11 增量: 0
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合计: ¥ 45.62
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