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ZTX605STOA

产品分类:
厂牌: DIODES
产品描述:
供应商型号: ZTX605STOA-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 16000
DIODES  ZTX605STOA

ZTX605STOA概述

    NPN Silicon Planar Medium Power Darlington Transistors 技术手册

    产品简介


    本手册介绍的是NPN硅平面中功率达林顿晶体管(NPN Silicon Planar Medium Power Darlington Transistors)。达林顿晶体管是一种双晶体管配置,能够提供高增益(最高可达2000倍),从而实现高效电流放大。这些晶体管广泛应用于电机驱动、工业自动化、电源转换等领域,是现代电力电子系统的重要组成部分。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 120V / 140V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 100V / 120V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 10V
    - 峰值脉冲电流 (ICM): 4A
    - 连续集电极电流 (IC): 1A
    - 最大功耗 (Ptot) @ 25°C: 1W (超过25°C后线性降低)
    - 操作和存储温度范围 (Tj, Tstg): -55°C 到 +200°C
    - 电气特性 (在Tamb = 25°C时,除非另有说明)
    - 集电极-基极击穿电压 (V(BR)CBO): 120V / 140V
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CEO): 100V / 120V
    - 发射极-基极击穿电压 (V(BR)EBO): 10V
    - 集电极截止电流 (ICBO): 0.01µA / 10µA
    - 发射极截止电流 (IEBO): 0.1µA
    - 集电极-发射极截止电流 (ICES): 10µA
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 1.0V / 1.5V (IC=250mA, IB=0.25mA) 或 1.0V / 1.5V (IC=1A, IB=1mA)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 1.8V
    - 基极-发射极导通电压 (VBE(on)): 1.7V
    - 静态正向电流传输比 (hFE): 2K (IC=50mA, VCE=5V) / 5K (IC=500mA, VCE=5V) / 2K (IC=1A, VCE=5V) / 2K (IC=2A, VCE=5V)
    - 转换频率 (fT): 150MHz (IC=100mA, VCE=10V)
    - 输入电容 (Cibo): 90pF (VEB=500mV, f=1MHz)
    - 输出电容 (Cobo): 15pF (VCB=10V, f=1MHz)
    - 开关时间
    - 导通时间 (ton): 0.5µs (IC=500mA, VCE=10V, IB1=IB2=0.5mA)
    - 关断时间 (toff): 1.6µs (同上)

    产品特点和优势


    1. 高增益: 达林顿晶体管具有高达2000的增益,能够有效地放大电流。
    2. 高可靠性: 在广泛的温度范围内 (-55°C 到 +200°C) 可以稳定工作,确保了高可靠性和长寿命。
    3. 低饱和电压: 具有较低的饱和电压 (VCE(sat)),减少了能量损失,提高了效率。
    4. 快速开关: 短的开关时间和低的输入电容使得这些晶体管适用于高频应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电机驱动: 在电机控制电路中,达林顿晶体管可以作为驱动器,通过低功率信号来控制高功率负载。
    - 电源转换: 达林顿晶体管可用于功率逆变器和整流器,实现高效电源转换。

    - 使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑散热问题,因为晶体管在高电流状态下会有较高的功耗。采用适当的散热片或散热装置可提高其稳定性和寿命。
    - 在高温环境下工作时,注意降额操作,确保不超过最大允许功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 这些晶体管与标准TO-92封装兼容,可以轻松替换其他品牌的晶体管,且与大多数现有的电路板兼容。
    - 支持: 厂商提供详细的技术文档和支持服务,包括应用指南、测试报告和故障排查手册。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 过高的工作温度导致晶体管失效。
    - 解决方案: 使用适当的散热装置,并根据环境温度调整电路设计。
    - 问题: 开关速度慢导致效率低下。
    - 解决方案: 减少负载电阻 (RS),使用较小的输入电容,优化电路布局以减少寄生电感。
    - 问题: 电流不稳定,难以达到预期效果。
    - 解决方案: 检查电源电压是否稳定,确保电路接地良好,并增加适当的滤波电容。

    总结和推荐


    综上所述,这款NPN硅平面中功率达林顿晶体管凭借其高增益、低饱和电压和快速开关特性,在电机驱动、电源转换等应用中表现出色。尽管其价格可能稍高于普通晶体管,但考虑到其优异的性能和高可靠性,我们强烈推荐将其用于需要高电流放大和高速开关的应用场景。对于需要高可靠性和高效率的电路设计,这款晶体管无疑是理想的选择。

ZTX605STOA参数

参数
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
包装方式 卷带包装

ZTX605STOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX605STOA数据手册

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ZTX605STOA封装设计

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