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ZTX603

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 1V@ 1mA,1A NPN - 达林顿 1W 10V 10μA 100V 80V 1A TO-92 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: 9525904
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZTX603

ZTX603概述

    # NPN Silicon Planar Medium Power Darlington Transistors 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    NPN硅平面中功率达林顿晶体管(NPN Silicon Planar Medium Power Darlington Transistors)是一种高效能的半导体器件,属于功率放大器的一种。它们主要用作电流放大器,在开关电路、电机控制和功率驱动等领域具有广泛应用。这种类型的晶体管具有高增益和低导通压降,适合于需要大电流和高电压的应用场合。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:提供高达80V的集电极-发射极电压(VCEO),支持1A的连续工作电流,以及最大1W的功率耗散能力。此外,其增益(hFE)可以达到2K以上,非常适合需要高度电流放大率的场景。
    - 应用领域:电机控制、功率放大、音频处理、开关电源及一般负载驱动等。

    技术参数


    以下是NPN硅平面中功率达林顿晶体管的技术规格表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 集电极-基极击穿电压 | V(BR)CBO | 80 100 | V |
    | 集电极-发射极击穿电压 | V(BR)CEO | 60 80 | V |
    | 发射极-基极击穿电压 | V(BR)EBO | 10 10 | V |
    | 集电极截止电流 | ICBO | 0.01 10 | µA |
    | 发射极截止电流 | IEBO | 0.1 0.1 | µA |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | 1.0 1.0 | V |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | 1.8 1.8 | V |
    | 基极-发射极导通电压 | VBE(on) | 1.7 1.7 | V |
    | 静态正向电流转移比 | hFE | 2K | 5K | 100K
    | 转换频率 | fT | 150 150 | MHz |
    | 输入电容 | Cibo | 90 pF |
    | 输出电容 | Cobo | 15 pF |
    - 工作温度范围:-55°C 至 +200°C
    - 峰值脉冲电流:4A
    - 连续集电极电流:1A
    - 总功耗:在25°C时为1W;超过25°C后按5.7 mW/°C线性下降

    产品特点和优势


    独特功能与优势
    1. 高增益特性:hFE达到2K及以上,适用于需要大幅电流放大的电路设计。
    2. 可靠性强:最高工作温度可达200°C,确保在恶劣环境下正常运行。
    3. 低导通压降:VCE(sat)仅为1V左右,能够显著降低功耗并提高效率。
    4. 宽泛的工作电压:集电极-发射极电压(VCEO)最高可达80V,适合多种高压应用场景。
    5. 快速开关时间:典型开关时间为ton=0.5µs 和 toff=1.1µs,保证高频信号的良好响应。
    这些特点使其成为工业级和高要求消费电子产品中的理想选择。
    应用案例与使用建议
    实际应用案例
    - 电机控制:作为电机驱动模块的核心组件,用于调节电动机的速度和方向。
    - 电源管理:常用于开关电源中实现高效的电压转换。
    - 音频系统:用作音频放大器的前级放大元件。
    使用建议
    1. 散热设计:由于最大功耗限制为1W,需确保良好的散热条件以避免过热。
    2. 驱动电路优化:通过增加外部电阻来改善输出特性和开关速度。
    3. 匹配负载需求:根据实际应用选择合适的型号(如ZTX602或ZTX603),以满足特定电流和电压的要求。

    兼容性和支持


    兼容性
    此系列晶体管采用TO92封装,与标准的TO92接口兼容,便于直接替换其他同类产品。
    支持服务
    厂商提供详尽的技术文档和技术支持,包括安装指南、维护手册以及在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 过热现象频繁发生 | 检查散热片是否足够,调整负载大小。 |
    | 输出电流不稳定 | 校准外部偏置电阻值,确保电路连接正确。 |
    | 开关速度不符合预期 | 增加栅极驱动电流,缩短传输路径长度。 |
    总结与推荐
    综合评估
    NPN硅平面中功率达林顿晶体管以其高增益、可靠性和灵活性,在工业和消费电子领域表现出色。它不仅满足了高性能需求,还提供了出色的性价比。
    推荐使用
    强烈推荐给需要大电流、高电压以及高可靠性的应用场景。无论是电机控制还是开关电源,该系列产品都是最佳选择之一。

ZTX603参数

参数
集电极电流 1A
VEBO-最大发射极基极电压 10V
VCBO-最大集电极基极电压 100V
最大集电极发射极饱和电压 1@ 0.4mA @ 400mA,1@ 1mA @ 1A
集电极截止电流 10μA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1V@ 1mA,1A
VCEO-集电极-发射极最大电压 80V
晶体管类型 NPN - 达林顿
配置 独立式
最大功率耗散 1W
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 导线安装,通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装

ZTX603厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZTX603数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 三极管(BJT) DIODES ZTX603 ZTX603数据手册

ZTX603封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 4.3406
10+ ¥ 3.2883
100+ ¥ 2.9463
500+ ¥ 2.8937
1000+ ¥ 2.8411
5000+ ¥ 2.8411
库存: 3392
起订量: 16 增量: 0
交货地:
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合计: ¥ 32.88
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