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ZXTP25020BFHTA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 210mV@ 500mA,5A PNP 1.81W 7V 50nA 40V 20V 4A SOT-23-3 贴片安装 3.05mm*1.4mm*1mm
供应商型号: 30C-ZXTP25020BFHTA SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTP25020BFHTA

ZXTP25020BFHTA概述

    # ZXTP25020BFH:20V SOT23 PNP 中功率晶体管

    产品简介


    ZXTP25020BFH 是一款20V SOT23封装的PNP中功率晶体管,适用于需要高电流处理能力和良好热稳定性的各种应用。这款晶体管采用先进的工艺技术和封装设计,以提高其性能和可靠性。
    主要功能
    - 高峰值电流
    - 低饱和电压
    - 高功耗能力(SOT23 封装)
    - 宽广的应用范围
    应用领域
    - MOSFET 和 IGBT 门驱动
    - DC-DC 转换器
    - 电机驱动
    - 高边驱动器
    - 电池充电

    技术参数


    以下是 ZXTP25020BFH 的技术规格和电气特性:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 条件 |

    | 集电极-发射极击穿电压(正向阻断) | BVCEX | -40 | -60 | V | IE = -100μA |
    | 集电极-发射极击穿电压(基极开路) | BVCEO | -20 | -35 | V | IC = -10mA |
    | 集电极-基极击穿电压 | BVCBO | -40 | -60 | V | IC = -100μA |
    | 发射极-基极击穿电压 | BVEBO | -7 | -8.2 | V | IE = -100μA |
    | 发射极-集电极击穿电压(反向阻断) | BVECX | -6 | -8 | V | IE = -100μA |
    | 发射极-集电极击穿电压(基极开路) | BVECO | -7 | -8.6 | V | IE = -100μA |
    | 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | -44 | -60 | mV | IC = -1A, IB = -100mA |
    | 基极-发射极饱和电压 | VBE(sat) | -930 | -1000 | mV | IC = -4A, IB = -200mA |
    | 基极-发射极导通电压 | VBE(on) | -820 | -900 | mV | IC = -4A, VCE = -2V |
    | 动态输出电容 | COBO | 32.5 | 40 | pF | VCB = -10V, f = 1MHz |

    产品特点和优势


    ZXTP25020BFH的主要特点包括:
    - 高功率耗散:采用 SOT23 封装,具有高电流处理能力。
    - 低饱和电压:VCE(sat) < -60mV @ 1A,降低功耗,提升效率。
    - 宽温度范围:工作和存储温度范围为 -55°C 到 150°C,适合极端环境应用。
    - 紧凑设计:适用于空间受限的应用场景。
    这些特点使其成为 MOSFET 和 IGBT 门驱动、DC-DC 转换器、电机驱动等多种应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    ZXTP25020BFH 可应用于多种场合,例如:
    - MOSFET 和 IGBT 门驱动:提供稳定的电源管理。
    - DC-DC 转换器:提高转换效率。
    - 电机驱动:增强控制精度。
    使用建议:
    - 确保散热条件良好,避免过热导致性能下降。
    - 在电路设计时,注意布局和走线,减少寄生电感和电阻的影响。
    - 使用适当的保护电路,防止瞬间高电压冲击损坏晶体管。

    兼容性和支持


    ZXTP25020BFH 与其互补型号 ZXTN25020BFH 相互兼容,可以方便地替换现有电路中的其他型号。Zetex 公司提供全球销售和支持网络,用户可以联系各地的办事处获取技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何选择合适的散热方案?
    - A:建议使用大面积铜散热片,并确保良好的热传导路径。参考手册中的绝对最大额定值部分,确定功耗和环境温度之间的关系。
    2. Q:如何测量饱和电压?
    - A:使用万用表或专用测试仪器,在规定的电流和基极电流条件下测量 VCE(sat)。
    3. Q:如何选择合适的驱动电路?
    - A:根据具体应用需求,选择合适的驱动电路。推荐使用推挽式或全桥式电路以提高效率。

    总结和推荐


    ZXTP25020BFH是一款高性能的PNP中功率晶体管,具备高功率处理能力和宽温度范围适应性,适用于多种严苛的应用环境。其独特的设计和卓越的性能使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在需要高可靠性、高效率的电子应用中使用此产品。

ZXTP25020BFHTA参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 7V
集电极电流 4A
最大功率耗散 1.81W
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 40V
晶体管类型 PNP
VCEO-集电极-发射极最大电压 20V
集电极截止电流 50nA
最大集电极发射极饱和电压 210mV@ 500mA,5A
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 210mV@ 500mA,5A
长*宽*高 3.05mm*1.4mm*1mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTP25020BFHTA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTP25020BFHTA数据手册

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DIODES 三极管(BJT) DIODES ZXTP25020BFHTA ZXTP25020BFHTA数据手册

ZXTP25020BFHTA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 2.024
100+ ¥ 1.617
750+ ¥ 1.441
1500+ ¥ 1.364
3000+ ¥ 1.298
库存: 1555
起订量: 1 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:1
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