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ZXTN619MATA

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: DIODES
产品描述: 320mV@ 200mA,4A NPN 2.45W 7V 25nA 100V 50V 4A DFN-2020B-3 贴片安装 2mm*2mm*600μm
供应商型号: ZXTN619MATA
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
DIODES 三极管(BJT) ZXTN619MATA

ZXTN619MATA概述

    ZXTN619MA:一款高性能50V NPN低饱和导通电压晶体管

    一、产品简介


    ZXTN619MA是来自Diodes Incorporated的一款50V NPN低饱和导通电压晶体管。它具有出色的电气特性和机械结构,适用于多种电子设备的应用场景。主要应用包括MOSFET栅极驱动、直流-直流转换器、充电电路、电机控制以及电源开关等。其紧凑的设计使其非常适合薄型应用,如笔记本电脑、平板电脑及其他便携式设备。

    二、技术参数


    - 额定电压
    - 集电极-基极电压(VCBO):>100V
    - 集电极-发射极电压(VCEO):50V
    - 发射极-基极电压(VEBO):7V
    - 电流
    - 连续集电极电流(IC):4A
    - 峰值脉冲电流(ICM):6A
    - 最大热耗散功率(PD):1.5W
    - 热阻抗(RθJA):83°C/W
    - 热阻抗(RθJL):16.8°C/W
    - 其他参数
    - 饱和电压(VCE(SAT)):最大100mV@1A
    - 等效导通电阻(RSAT):68mΩ
    - 小型化封装:尺寸为2x2mm,高度仅为0.6mm
    - 工作温度范围:-55°C到+150°C

    三、产品特点和优势


    ZXTN619MA在低饱和电压、高电流增益保持能力及紧凑设计等方面表现出色。其独特的优点如下:
    - 低饱和电压:在1A条件下,最大饱和电压仅为100mV,确保较低的功耗,提升系统效率。
    - 高电流增益保持能力:最高可达6A,提供更高的电流处理能力。
    - 低热阻:热阻抗低至83°C/W,有助于改善散热性能,延长设备寿命。
    - 小型化封装:采用2x2mm封装,高度仅0.6mm,非常适合薄型应用。
    - 绿色环保:完全无铅且符合RoHS标准,采用无卤素无锑化合物材料。

    四、应用案例和使用建议


    - MOSFET栅极驱动:在需要驱动高频、高功率MOSFET的应用中,ZXTN619MA可以有效降低导通损耗,提高效率。
    - 直流-直流转换器:适合于高压输入、高效转换的应用场景,如电源适配器、LED照明等。
    - 充电电路:应用于快速充电系统,确保高效的能量传输。
    - 电机控制:适用于需要精确控制的电机驱动应用,如工业自动化设备。
    使用建议:
    1. 为了最大限度地减少热耗散,应确保良好的散热设计,尤其是对于高电流应用。
    2. 在设计时,注意选择合适的基极电阻,以防止过高的基极电流导致晶体管过热。
    3. 使用前请确保了解完整的电气特性和机械结构细节,以便更好地利用该产品的优势。

    五、兼容性和支持


    ZXTN619MA具有广泛的兼容性,可以轻松集成到现有的电路板设计中。Diodes Incorporated提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户进行产品的选型和应用开发。

    六、常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何降低饱和电压?
    - 解决方案: 调整基极电阻,确保足够的基极电流。此外,考虑采用更优的电路设计,如并联或串联多个晶体管以分担电流。

    2. 问题: 在高温环境下使用时,如何避免过热?
    - 解决方案: 采用有效的散热措施,例如添加散热片或优化电路布局。此外,确保散热路径畅通,避免热源积聚。

    七、总结和推荐


    ZXTN619MA是一款高性能、高可靠性的50V NPN低饱和导通电压晶体管,适用于多种应用场景。其卓越的电气特性和紧凑的封装设计使其成为现代电子设备的理想选择。Diodes Incorporated提供全面的支持和服务,确保用户能够顺利进行产品的选型和应用开发。总的来说,我们强烈推荐这款产品用于需要高效率、高可靠性的场合。
    如果您对这款产品感兴趣或有任何疑问,欢迎联系我们的技术支持团队获取更多详细信息。

ZXTN619MATA参数

参数
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 7V
集电极电流 4A
最大集电极发射极饱和电压 320mV@ 200mA,4A
VCBO-最大集电极基极电压 100V
配置 独立式
集电极截止电流 25nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 320mV@ 200mA,4A
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
最大功率耗散 2.45W
长*宽*高 2mm*2mm*600μm
通用封装 DFN-2020B-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

ZXTN619MATA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXTN619MATA数据手册

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ZXTN619MATA封装设计

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