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DMN2065UW-7

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 3.1 A, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: DMN2065UW-7
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN2065UW-7

DMN2065UW-7概述


    产品简介


    DMN2065UW 是一款20V N沟道增强型MOSFET,由Diodes Incorporated生产。该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,使其适用于高效率电源管理应用。其主要功能和应用领域包括:通用接口开关、电源管理功能、DC-DC转换器和模拟开关。

    技术参数


    - 最大耐压(VDS): 20V
    - 栅极耐压(VGSS): ±12V
    - 连续漏极电流:
    - VGS = 4.5V时:TA = +25°C下2.8A,TA = +70°C下2.3A
    - VGS = 1.8V时:TA = +25°C下2.2A,TA = +70°C下1.7A
    - 脉冲漏极电流(10微秒脉冲,占空比1%): 30A
    - 总功率耗散:
    - 长期稳态:PD = 0.43W,RθJA = 296°C/W
    - 短期稳态:PD = 0.7W,RθJA = 178°C/W
    - 热阻(稳态): RθJA = 296°C/W
    - 操作和存储温度范围: TJ, TSTG = -55°C至+150°C
    - 阈值电压(VGS(TH)): 0.35V至1.0V
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS = 4.5V,ID = 2A时:52mΩ至56mΩ
    - VGS = 2.5V,ID = 2A时:59mΩ至65mΩ
    - VGS = 1.8V,ID = 1A时:60mΩ至93mΩ
    - VGS = 1.5V,ID = 0.5A时:75mΩ至140mΩ
    - 输入电容(Ciss): 400pF
    - 输出电容(Coss): 73.8pF
    - 反向传输电容(Crss): 65.6pF
    - 总栅极电荷(Qg): 5.4nC
    - 门-源电荷(Qgs): 0.7nC
    - 门-漏电荷(Qgd): 1.4nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:低导通电阻能够显著减少能耗,提高电源效率。
    - 低输入电容:低输入电容有利于快速开关,减少开关损耗。
    - 高速开关:快速开关速度可以提高系统的响应速度。
    - 完全无铅,符合RoHS标准:环保设计,适合用于各类电子产品。
    - 无卤素和锑化物:符合绿色生产标准,适用于对环境要求较高的应用。
    - 通过AEC-Q101认证:满足汽车级高可靠性标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 通用接口开关:适用于各种需要高性能开关的应用。
    - 电源管理:作为高效电源管理系统的核心组件。
    - DC-DC转换器:适用于DC-DC转换器中的高效开关。
    - 模拟开关:用于模拟信号的控制和切换。
    使用建议:
    - PCB布局优化:确保使用推荐的焊盘布局,以实现最佳散热效果。
    - 工作条件控制:注意不要超过器件的最大额定值,特别是在高温环境下。
    - 应用到特定场景:考虑应用的具体要求,选择合适的VGS和ID参数。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该MOSFET采用SOT323封装,适用于多种电路板设计。
    - 支持:Diodes Incorporated提供了详尽的技术支持和维护服务,可访问官方网站获取更多信息和资源。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定最佳的工作电压和电流?
    - 解决方案:根据具体应用场景,选择合适的VGS和ID参数,参考数据表中的图表进行选择。

    - 问题2:如何处理过温情况?
    - 解决方案:安装适当的散热措施,如散热片或风扇,确保工作温度在安全范围内。

    - 问题3:如何判断产品的电气性能?
    - 解决方案:利用数据表中的图表和参数进行判断,确保满足具体应用的需求。

    总结和推荐


    DMN2065UW 是一款高性能的20V N沟道MOSFET,具有低导通电阻、低输入电容和高速开关的优点。其广泛的应用范围和环保的设计使其成为电源管理和开关应用的理想选择。考虑到其优秀的性能和可靠的支持,强烈推荐用于高效率电源管理和其他相关领域。

DMN2065UW-7参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
最大功率耗散 430mW(Ta)
栅极电荷 5.4nC@ 4.5 V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Id-连续漏极电流 2.8A
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 56mΩ@ 2A,4.5V
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 400pF@10V
长*宽*高 2.15mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-323
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN2065UW-7厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN2065UW-7数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN2065UW-7 DMN2065UW-7数据手册

DMN2065UW-7封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.4057
5000+ ¥ 0.3824
8000+ ¥ 0.3757
12000+ ¥ 0.3724
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:2500
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