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ZVP4105ASTOA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 625mW(Ta) 20V 2V@1mA 1个P沟道 50V 10Ω@ 100mA,5V 175mA 40pF@25V TO-92-3 导线安装,通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: ZVP4105ASTOA-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP4105ASTOA

ZVP4105ASTOA概述

    ZVP4105A P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET 技术手册

    产品简介


    ZVP4105A 是一款高性能的 P-通道增强型垂直双扩散 MOS 场效应晶体管(DMOS FET)。它具有高击穿电压(50V)、低导通电阻(10Ω)和低阈值电压等特点。ZVP4105A 主要应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域,为工程师提供了一种可靠的高效率控制解决方案。

    技术参数


    以下是 ZVP4105A 的主要技术参数:
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): \(-50\) V
    - 持续漏极电流 \(ID\): \(-175\) mA
    - 脉冲漏极电流 \(I{DM}\): \(-520\) mA
    - 栅源电压 \(V{GS}\): \(\pm 20\) V
    - 功耗 \(P{tot}\): \(625\) mW
    - 工作和存储温度范围: \(Tj: T{stg}\) \(-55\) to \(+150\) °C
    - 电气特性(\(T{amb} = 25\)°C 除非另有说明)
    - 漏源击穿电压 \(B{V(DSS)}\): \(-50\) V
    - 栅源阈值电压 \(V{GS(th)}\): \(-0.8\) to \(-2.0\) V
    - 栅体泄漏 \(I{GSS}\): \(10\) nA
    - 零栅电压漏极电流 \(I{DSS}\): \(-15\) µA
    - 静态漏源导通电阻 \(R{DS(on)}\): \(10\) Ω
    - 前向跨导 \(g{fs}\): \(50\) mS
    - 输入电容 \(C{iss}\): \(40\) pF
    - 共源输出电容 \(C{oss}\): \(15\) pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): \(6\) pF
    - 开启延迟时间 \(t{d(on)}\): \(10\) ns
    - 上升时间 \(tr\): \(10\) ns
    - 关闭延迟时间 \(t{d(off)}\): \(18\) ns
    - 下降时间 \(tf\): \(25\) ns

    产品特点和优势


    ZVP4105A 的主要特点和优势包括:
    - 高耐压能力:最高击穿电压可达 \(-50\) V,适用于高压环境。
    - 低导通电阻:静态导通电阻仅为 \(10\) Ω,提高了能效。
    - 快速开关特性:开启延迟时间 \(t{d(on)}\) 仅为 \(10\) ns,上冲时间 \(tr\) 也为 \(10\) ns,使得开关转换更加迅速,适用于高频应用。
    - 可靠性高:广泛的工作温度范围和较高的额定功率,确保了在各种极端条件下稳定工作。

    应用案例和使用建议


    ZVP4105A 在多种电力电子应用中表现出色,包括但不限于:
    - 开关电源:通过降低损耗来提高效率。
    - 电机驱动:快速响应时间可以改善电机控制精度。
    - 逆变器:低导通电阻和高耐压能力有助于提高整体性能。
    使用建议:
    - 电路设计:根据具体应用选择合适的外部组件,如电容和电阻,以匹配 ZVP4105A 的快速开关特性。
    - 散热管理:由于高功耗,需要合理设计散热系统,保证工作温度在允许范围内。

    兼容性和支持


    ZVP4105A 采用 TO-92 封装,与传统 TO-92 管脚布局兼容,方便替换和安装。制造商提供了详尽的技术支持文档,包括电气特性的详细测试数据和使用指南,帮助用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在某些情况下,ZVP4105A 的导通电阻显著增加。
    - 解决方案: 检查电路设计,确保 \(V{GS}\) 电压满足最小要求,避免因电压不足导致电阻增加。

    - 问题: 设备在高温环境下运行不稳定。
    - 解决方案: 使用有效的散热措施,如散热片或强制风冷,确保工作温度不超过规定范围。

    总结和推荐


    综上所述,ZVP4105A 以其高可靠性和优异的性能,在多种电力电子应用中展现出色表现。推荐在需要高效率和快速响应的应用中使用此产品。同时,用户应遵循制造商的指导,合理设计电路并进行必要的散热管理,以充分发挥其潜力。

ZVP4105ASTOA参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
最大功率耗散 625mW(Ta)
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 50V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 40pF@25V
通道数量 1
Id-连续漏极电流 175mA
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 10Ω@ 100mA,5V
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92-3
安装方式 导线安装,通孔安装
包装方式 卷带包装

ZVP4105ASTOA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP4105ASTOA数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP4105ASTOA ZVP4105ASTOA数据手册

ZVP4105ASTOA封装设计

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