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ZVP0545A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 700mW(Ta) 20V 4.5V@1mA 1个P沟道 450V 150Ω@ 50mA,10V 45mA 120pF@25V TO-92 通孔安装 4.77mm*2.41mm*4.01mm
供应商型号: AV-S-DIIZVP0545A
供应商: Avnet
标准整包数: 4000
DIODES 场效应管(MOSFET) ZVP0545A

ZVP0545A概述


    产品简介




    本产品是一款P沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET),型号为ZVP0545A。该器件的主要功能是作为开关器件,在多种电路中起到控制电流的作用。ZVP0545A广泛应用于汽车电子、工业控制、电源管理和通讯设备等领域。


    技术参数




    | 参数名称 | 最小值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
    |------------------|------|------|----------|-----------------------------|
    | 漏源击穿电压 | -450 V | ID=-1mA, VGS=0V |
    | 门限电压 | -1.5 | -4.5 | V | ID=-1mA, VDS= VGS |
    | 门体泄漏电流 20 | nA | VGS=± 20V, VDS=0V |
    | 零门电压漏极电流 -2 | µA | VDS=-450V, VGS=0 |
    | 漏极-源极导通电阻 | 150 Ω | VGS=-10V, ID=-50mA |
    | 前向跨导 | 40 mS | VDS=-25V, ID=-50mA |
    | 输入电容 | 120 pF
    | 输出电容 | 20 pF | VDS=-25V, VGS=0V, f=1MHz |
    | 反向转移电容 | 5 pF
    | 开启延迟时间 | 10 ns | VDD≈-25V, ID=-50mA |
    | 上升时间 | 15 ns
    | 关闭延迟时间 | 15 ns
    | 下降时间 | 20 ns


    产品特点和优势




    ZVP0545A具有以下独特功能和优势:
    - 高耐压能力:具备450V的漏源电压,适合高压应用环境。
    - 低导通电阻:导通电阻仅为150Ω,有效降低功率损耗,提高效率。
    - 快速开关性能:具有较快的上升和下降时间(分别为15ns和20ns),适用于高频切换应用。
    - 良好的温度特性:能够在-55℃至+150℃的工作和存储温度范围内稳定运行。
    - 紧凑封装:采用TO92封装,方便安装和布线。


    应用案例和使用建议




    应用案例

    ZVP0545A常用于汽车电子的高压开关应用,例如电机驱动器和电源转换模块。此外,它也广泛应用于工业控制设备中的高压电源管理。

    使用建议

    1. 散热设计:由于其较大的功率损耗,需要良好的散热设计以避免过热损坏。
    2. 驱动电路:为确保可靠工作,应提供合适的门极驱动信号,避免电压过高或过低导致损坏。
    3. 负载匹配:在使用时应注意负载与器件输出阻抗的匹配,以获得最佳性能。


    兼容性和支持



    ZVP0545A与大多数常见的电子元器件兼容,支持广泛的电源管理和控制系统。制造商提供详尽的技术文档和客户支持,包括详细的测试报告、典型应用电路图及技术支持热线。


    常见问题与解决方案




    1. 问题:开启电压不一致。
    - 解决方案:检查门极驱动电压是否符合要求,重新调整驱动信号。

    2. 问题:开关频率过低。
    - 解决方案:优化电路设计,减少寄生电容的影响,增加门极驱动信号的频率。

    3. 问题:过热损坏。
    - 解决方案:确保散热片或散热系统正常工作,必要时降低负载电流。


    总结和推荐




    ZVP0545A凭借其卓越的高压耐受能力和低导通电阻,成为一款高性能的P沟道增强型垂直DMOS FET。其快速的开关特性和良好的温度特性使其在多种应用中表现出色。虽然在使用过程中需要注意散热和驱动信号的调整,但总体来说,这是一款值得推荐的产品。对于高压开关应用,ZVP0545A是一个非常优秀的选择。

ZVP0545A参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 150Ω@ 50mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 120pF@25V
通道数量 1
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 450V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 45mA
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@1mA
配置 独立式
最大功率耗散 700mW(Ta)
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 4.77mm*2.41mm*4.01mm
通用封装 TO-92
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装

ZVP0545A厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZVP0545A数据手册

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DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZVP0545A ZVP0545A数据手册

ZVP0545A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
4000+ $ 0.6731 ¥ 5.9573
12000+ $ 0.6671 ¥ 5.9041
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