处理中...

首页  >  产品百科  >  ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 1.1W(Ta) 20V 1V@ 250µA 26.8nC@ 10 V 1个N沟道 30V 25mΩ@ 12A,10V 6.7A 1.4nF@25V MSOP-8 贴片安装 3.1mm*3.1mm*950μm
供应商型号: 3943985
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) ZXMN3A02X8TA

ZXMN3A02X8TA概述

    ZXMN3A02X8 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    ZXMN3A02X8 是由 Zetex 公司推出的一款新一代沟槽式 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它具有低导通电阻、快速开关速度以及低阈值电压等特点,特别适用于高效率、低电压电源管理应用。此外,它的低栅极驱动特性使其非常适合用于直流-直流转换器、电源管理功能、断路开关和电机控制等领域。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源击穿电压:\(V{(BR)DSS} = 30V\)
    - 导通电阻:\(R{DS(ON)} = 0.025 \Omega\)(在 \(V{GS}=10V\), \(ID=12A\) 条件下)
    - 连续漏极电流:\(ID = 6.7A\)(在 \(V{GS}=10V\), \(TA=25°C\) 条件下)
    - 电气特性
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压:\(V{DSS} = 30V\)
    - 栅源电压:\(V{GS} = ±20V\)
    - 额定工作条件
    - 电源功率耗散:\(PD = 1.1W\)(在 \(TA=25°C\) 条件下)
    - 温度范围:操作温度 \(T{j}\): -55°C 至 +150°C;存储温度 \(T{stg}\): -55°C 至 +150°C
    - 热阻抗
    - 结到空气热阻:\(R{θJA} = 113°C/W\)
    - 结到空气热阻(FR4 PCB 测试条件下):\(R{θJA} = 70°C/W\)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:通过独特的结构设计,使得 \(R{DS(ON)}\) 降低至 0.025Ω,从而提高了效率。
    - 快速开关速度:开关延迟时间仅为 3.9ns,开关频率可大幅提升。
    - 低阈值电压:栅极阈值电压 \(V{GS(th)} = 1V\),降低了功耗并简化了驱动电路的设计。
    - 低栅极驱动:较低的栅极电荷 \(Qg = 14.5nC\) 和总栅极电荷 \(Q{g(total)} = 26.8nC\) 减少了能耗。

    应用案例和使用建议


    ZXMN3A02X8 广泛应用于多种场合,例如直流-直流转换器、电源管理系统和电机控制等。在设计过程中,可以考虑使用低电阻 PCB 材料以减少热阻。在具体应用中,如需更高的可靠性,可以选择适当的散热措施,如加装散热片或风扇。

    兼容性和支持


    ZXMN3A02X8 的低外形 SOIC 封装适合多种应用场合。Zetex 公司在全球范围内提供技术支持和服务,确保客户能够获得最佳的应用效果。

    常见问题与解决方案


    1. 如何降低热阻?
    - 答案:使用低热阻 PCB 材料,并适当增加散热措施。
    2. 如何改善开关性能?
    - 答案:优化栅极驱动电路,使用合适的驱动电阻。
    3. 如何提高可靠性?
    - 答案:加强散热管理,使用适当的散热器或冷却系统。

    总结和推荐


    ZXMN3A02X8 是一款性能卓越的 MOSFET,特别适合需要高效能和快速开关速度的应用。凭借其低导通电阻、快速开关速度和低栅极驱动特性,它在多种领域都有着广泛的应用前景。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师。

ZXMN3A02X8TA参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 26.8nC@ 10 V
配置 独立式
最大功率耗散 1.1W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Id-连续漏极电流 6.7A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.4nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 12A,10V
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 3.1mm*3.1mm*950μm
通用封装 MSOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

ZXMN3A02X8TA厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

ZXMN3A02X8TA数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES ZXMN3A02X8TA ZXMN3A02X8TA数据手册

ZXMN3A02X8TA封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 8.7763
10+ ¥ 7.1159
100+ ¥ 6.5229
500+ ¥ 6.5229
1000+ ¥ 6.4043
5000+ ¥ 6.4043
库存: 748
起订量: 6 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 8.77
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336