处理中...

首页  >  产品百科  >  DMT10H009LFG-13

DMT10H009LFG-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 2W(Ta),30W(Tc) 2.5V@ 250µA 41nC@ 10 V 1个N沟道 100V 8.5mΩ@ 20A,10V 13A;50A 2.361nF@50V PDI-33338 贴片安装
供应商型号: DMT10H009LFG-13
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
DIODES 场效应管(MOSFET) DMT10H009LFG-13

DMT10H009LFG-13概述

    DMT10H009LFG 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    DMT10H009LFG是一款由Diodes公司生产的100V N-通道增强模式MOSFET。该产品专为高效率电源管理应用设计,通过最小化导通电阻(RDS(ON))并保持卓越的开关性能,使得它非常适合应用于同步整流、背光、电源管理和直流到直流转换器等领域。

    技术参数


    - 电压等级:
    - 漏源击穿电压(VDSS):100V
    - 最大连续漏极电流(ID):50A @ TC = +25°C;40A @ TC = +70°C
    - 最大体二极管正向电流(IS):25A
    - 脉冲漏极电流(IDM):200A(10µs脉冲,占空比1%)
    - 脉冲体二极管连续电流(ISM):200A(10µs脉冲,占空比1%)
    - 雪崩电流(IAS):17A
    - 雪崩能量(EAS):144.5mJ
    - 热特性:
    - 结温范围:TJ, TSTG = -55至+150°C
    - 热阻抗(RθJA):59°C/W
    - 结壳热阻抗(RθJC):3.8°C/W
    - 总功耗(PD):2W @ TA = +25°C;30W @ TC = +25°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻(RDS(ON)):8.5mΩ @ VGS = 10V,ID = 20A;12.5mΩ @ VGS = 4.5V,ID = 10A
    - 输入电容(Ciss):2361pF @ VDS = 50V,VGS = 0V
    - 输出电容(Coss):611pF
    - 反向传输电容(Crss):16pF
    - 门电阻(Rg):1.7Ω @ VDS = 0V,VGS = 0V,f = 1MHz
    - 总门电荷(Qg):41nC @ VDD = 50V,ID = 13A,VGS = 10V
    - 开启延迟时间(tD(ON)):7ns
    - 关闭延迟时间(tD(OFF)):42ns

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 最小化导通损耗。
    - 优秀的品质因数: Qgd x RDS(ON)产品表现优异。
    - 先进的DC/DC转换器技术: 适用于多种电力管理应用。
    - 紧凑型热效率封装: 允许更高的密度终端产品。
    - 减少PCB面积: 仅占用SO-8 33%的空间,便于更小的终端产品设计。
    - 生产测试100%无钳位感性开关(UIS)测试: 保证更可靠的最终应用。
    - 环保材料: 铅无焊料,符合RoHS标准;无卤素和锑化合物。
    - 兼容汽车应用: 如需满足特定变更控制要求,可联系当地销售代表。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流: 在电源管理中提供高效的开关解决方案。
    - 背光: 用于照明系统的高效开关。
    - 直流到直流转换器: 适合于需要快速响应和高效能的电源系统。
    使用建议:
    - 确保电路板散热良好,以避免过高的结温影响器件寿命。
    - 在选择和使用该器件时,应仔细考虑具体应用场景下的散热设计,确保器件工作在安全温度范围内。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件与现有的电力管理系统高度兼容。
    - 支持和服务: Diodes公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 温度过高导致器件损坏。
    - 解决办法: 确保电路板有良好的散热设计,并遵循手册中的最大工作温度限制。
    - 问题2: 漏电流过高。
    - 解决办法: 检查电路连接是否正确,并重新校准阈值电压(VGS(TH))。

    总结和推荐


    DMT10H009LFG是一款非常出色的N-通道增强模式MOSFET,具有极低的导通电阻和优秀的电气特性。它不仅适合高效率电源管理系统,还能够广泛应用于同步整流和背光等多种场合。总体来说,这款产品在技术参数和功能特性上都表现出色,是当前市场上值得推荐的优秀产品。

DMT10H009LFG-13参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 41nC@ 10 V
最大功率耗散 2W(Ta),30W(Tc)
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.5mΩ@ 20A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.361nF@50V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 13A;50A
通用封装 PDI-33338
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMT10H009LFG-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMT10H009LFG-13数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMT10H009LFG-13 DMT10H009LFG-13数据手册

DMT10H009LFG-13封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 5.9176
5000+ ¥ 5.5781
8000+ ¥ 5.4811
12000+ ¥ 5.4326
库存: 30000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 14794
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336