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DMN6075S-13

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: DIODES
产品描述: 800mW(Ta) 20V 3V@ 250µA 12.3nC@ 10 V 1个N沟道 60V 85mΩ@ 3.2A,10V 2A 606pF@20V SOT-23-3 贴片安装 3mm*1.4mm*1mm
供应商型号: 30C-DMN6075S-13 SOT23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
DIODES 场效应管(MOSFET) DMN6075S-13

DMN6075S-13概述

    DMN6075S 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    DMN6075S 是一款由 Diodes Incorporated 生产的60V N-沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)。它主要用于高效率电源管理应用,适用于DC-DC转换器、电源管理和背光控制等领域。该产品具有低导通电阻、快速开关速度等特点,非常适合在高效率系统中使用。

    技术参数


    以下是DMN6075S的主要技术参数:
    - 电压规格:最大漏源电压(BVDSS)为60V。
    - 电流规格:
    - 在VGS=10V时,连续漏极电流(ID)可达2.5A(+25℃时),1.5A(+70℃时)。
    - 在VGS=4.5V时,连续漏极电流(ID)可达2.0A(+25℃时),1.4A(+70℃时)。
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - 在VGS=10V时,最大值为85mΩ(+25℃时),120mΩ(+70℃时)。
    - 在VGS=4.5V时,最大值为120mΩ(+25℃时),171mΩ(+70℃时)。
    - 其他规格:
    - 最大体二极管正向电流(IS)为2.0A。
    - 脉冲漏极电流(IDM)为12A(10μs脉冲,占空比1%)。
    - 总功率耗散(PD)在不同温度下有所不同。
    - 热阻(RθJA):静态时,25℃时为157°C/W,70℃时为110°C/W。

    产品特点和优势


    DMN6075S的主要优势包括:
    - 低导通电阻(RDS(ON)):该产品具有非常低的导通电阻,从而降低了功耗,提高了系统的效率。
    - 快速开关速度:有助于减少开关损耗,进一步提高能效。
    - 环保合规:完全无铅,符合RoHS和REACH标准,符合绿色产品标准。
    - 高可靠性:符合AEC-Q101标准,确保高可靠性。

    应用案例和使用建议


    DMN6075S 广泛应用于多个领域,如:
    - DC-DC转换器:利用其快速开关速度和低导通电阻特性,提升电源转换效率。
    - 电源管理系统:其高效性使其成为电源管理系统的理想选择。
    - 背光控制:用于照明设备的背光控制,确保系统稳定性。
    使用建议:
    - 确保安装环境温度不高于70℃,以避免过热。
    - 使用适当的散热设计,如增加散热片,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用SOT23封装,适用于多种标准PCB设计,方便集成。
    - 支持信息:Diodes Incorporated提供详尽的技术支持和售后服务,用户可通过官网获取更多包装和兼容性信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:设备在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案:检查散热措施,确保设备在规定温度范围内运行。

    - 问题2:设备启动时出现异常。
    - 解决方案:检查电路连接,确保符合手册中的接线要求。

    总结和推荐


    DMN6075S 是一款高性能、高可靠性的N-沟道增强型MOSFET,特别适合高效率电源管理应用。其独特的低导通电阻和快速开关速度使其成为DC-DC转换器、电源管理系统和背光控制的理想选择。我们强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高效率和高性能的应用场合。

DMN6075S-13参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 85mΩ@ 3.2A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 606pF@20V
Id-连续漏极电流 2A
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 800mW(Ta)
栅极电荷 12.3nC@ 10 V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
长*宽*高 3mm*1.4mm*1mm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

DMN6075S-13厂商介绍

DIODES公司是一家全球领先的半导体公司,专注于提供广泛的标准和定制模拟、逻辑、接口和混合信号半导体产品。公司的产品广泛应用于通信、计算、消费电子、工业和汽车市场。

DIODES的主营产品分类包括:

1. 模拟产品:包括放大器、比较器、数据转换器、接口、电源管理、电压基准等。
2. 逻辑产品:包括FET开关、逻辑门、触发器、缓冲器等。
3. 接口产品:包括RS-232/422/485、I2C、SPI、USB等。
4. 混合信号产品:包括模数/数模转换器、触摸屏控制器等。

DIODES的产品应用领域广泛,包括:

1. 通信:手机、基站、网络设备等。
2. 计算:个人电脑、服务器、存储设备等。
3. 消费电子:智能穿戴、智能家居、游戏机等。
4. 工业:自动化控制、医疗设备、能源管理等。
5. 汽车:车载信息娱乐、安全系统、动力控制等。

DIODES的优势在于:

1. 产品种类丰富,满足不同应用需求。
2. 技术领先,提供高性能、高可靠性的解决方案。
3. 定制化服务,满足特定客户的个性化需求。
4. 全球化布局,提供快速响应和本地化支持。

DMN6075S-13数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
DIODES 场效应管(MOSFET) DIODES DMN6075S-13 DMN6075S-13数据手册

DMN6075S-13封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.6721
100+ ¥ 0.4631
500+ ¥ 0.4213
2500+ ¥ 0.3905
5000+ ¥ 0.3652
10000+ ¥ 0.341
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