处理中...

首页  >  产品百科  >  WM03P42M

WM03P42M

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: WM03P42M SOT23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
WAYON/上海维安电子 场效应管(MOSFET) WM03P42M

WM03P42M概述

    # 电子元器件技术手册 —— WM03P42M P-Channel Enhancement MOSFET

    产品简介


    基本介绍
    WM03P42M 是一款小信号增强型P沟道场效应晶体管(P-Channel Enhancement MOSFET),适用于多种电子应用。它具有高可靠性、紧凑封装等特点,广泛应用于电源管理、负载开关、电池保护电路等领域。

    技术参数


    以下是WM03P42M的关键技术规格和电气特性:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | - | -30 | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±12 | - | ±12 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | -4.2 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | -16 | - | A |
    | 功率耗散 | PD | - | 1.2 | - | W |
    | 热阻抗(结到环境) | RθJA| - | 104 | - | °C/W |
    | 阈值电压 | VGS(th) | -0.7 | -1 | -1.3 | V |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on)| - | 42 | 60 | mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | - | 745 | - | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | 70 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 57 | - | pF |

    产品特点和优势


    特点
    - 高可靠性和稳定性:工作温度范围宽广(-55°C至150°C)。
    - 低导通电阻:RDS(on)典型值为42mΩ(VGS=-10V, ID=-4.2A),保证了高效的能量转换。
    - 高速开关特性:具有快速的开关时间和较低的门极电荷。
    - 先进的工艺技术:采用沟槽低压MOSFET技术,确保性能优越。
    优势
    - 适用广泛的应用场景:可用于负载开关、电池保护等多种场合。
    - 紧凑封装:采用SOT-23封装,适合空间受限的设计。
    - RoHS合规:符合环保标准,绿色制造。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 负载开关:用于控制大电流负载的开关。
    - 电池保护电路:在电池管理系统中提供过流保护。
    - 电源管理:作为电源开关或稳压电路的一部分。
    使用建议
    - 在使用过程中,注意不要超过最大额定电压和电流,以避免损坏。
    - 选择合适的栅极驱动电压,以保证最低的RDS(on)和最佳的开关性能。
    - 设计时考虑散热问题,尤其是当负载电流较大时。

    兼容性和支持


    兼容性
    - WM03P42M 具有良好的通用性,可与其他标准SOT-23封装的MOSFET互换。
    - 适用于大多数现有的电源管理和负载开关设计。
    支持信息
    - 供应商技术支持:如有任何技术问题,可以联系Way-On公司获取支持。
    - 联系方式:可通过邮件(market@way-on.com)或电话(86-21-68969993)进行咨询。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 通常选择VGS=-10V来保证最低的RDS(on)和最优的开关速度。
    2. 如何避免过热损坏?
    - 在设计电路时,要考虑良好的散热措施,如使用大面积的散热片或加装散热风扇。
    3. 为什么需要关注输入和输出电容?
    - 输入和输出电容会影响开关速度和功耗,需根据具体应用需求选择合适的电容值。
    解决方案
    - 对于以上问题,建议仔细阅读技术手册,合理设计电路并选择适当的组件。

    总结和推荐


    综合评估
    WM03P42M P-Channel Enhancement MOSFET是一款高性能的小信号增强型MOSFET,具备优异的电气特性和稳定的性能表现。其紧凑的封装和广泛的温度适应能力使其在多种应用中表现出色。
    推荐结论
    鉴于其卓越的性能和良好的市场口碑,我们强烈推荐在各种负载开关、电池保护和电源管理应用中使用WM03P42M。

WM03P42M参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
通道数量 -
通用封装 SOT-23

WM03P42M厂商介绍

WAYON公司是一家专注于工业自动化和控制技术的公司,致力于提供高质量的自动化解决方案和服务。公司主营产品包括但不限于:

1. 传感器:提供各种类型的传感器,如光电传感器、接近传感器、温度传感器等,用于检测物体位置、距离、速度等参数。

2. 控制器:包括PLC(可编程逻辑控制器)和DCS(分布式控制系统),用于工业过程的监控和控制。

3. 执行器:如电机、阀门等,用于执行控制命令,实现机械动作。

4. 人机界面:提供操作面板和软件,方便用户监控和操作自动化系统。

5. 网络和通信设备:包括工业以太网、无线通信模块等,用于设备间的信息传输。

WAYON公司的产品广泛应用于制造业、能源、交通、医疗等多个领域,帮助客户提高生产效率、降低成本、增强系统的可靠性和安全性。

WAYON的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,保持技术领先。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的解决方案。
- 质量保证:严格的质量控制流程,确保产品的可靠性。
- 全球网络:拥有广泛的全球服务网络,提供快速响应和支持。

WAYON公司以其专业的技术、优质的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

WM03P42M数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
WAYON/上海维安电子 场效应管(MOSFET) WAYON/上海维安电子 WM03P42M WM03P42M数据手册

WM03P42M封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.0156 ¥ 0.1303
6000+ $ 0.0153 ¥ 0.1281
9000+ $ 0.015 ¥ 0.1248
库存: 600000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 390.9
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504