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CJQ16P03

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20V 69nC 1个P沟道 30V 6.5mΩ@-16A,10V 16A 5.9nF@ 24V SOP-8
供应商型号: CJQ16P03 SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 4000
CJ/江苏长晶(长电) 场效应管(MOSFET) CJQ16P03

CJQ16P03概述

    文章标题:CJQ16P03 P-Channel Power MOSFET 技术详解

    1. 产品简介


    CJQ16P03 是由江苏长晶电子科技有限公司设计和生产的 SOP8 封装的 P 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件结合了先进的沟槽 MOSFET 技术与低阻抗封装,能够提供极低的导通电阻 \( R{DS(ON)} \),非常适合用于电池保护和负载开关等应用场合。
    - 产品类型:P 沟道增强型功率 MOSFET
    - 主要功能:
    - 高效的电流控制能力,支持负载开关操作;
    - 提供出色的保护特性,确保可靠运行。
    - 应用领域:
    - 电池管理系统(Battery Management Systems, BMS);
    - 工业负载开关;
    - 汽车电子系统;
    - 其他需要高效率和高可靠性的电路设计。

    2. 技术参数


    以下是 CJQ16P03 的关键技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | \( V{DS} \) | -30 V |
    | 栅源电压 | \( V{GS} \) | ±20 V |
    | 持续漏极电流 | \( ID \) -16 A |
    | 脉冲漏极电流 | \( I{DM} \) -64 | A |
    | 阻断电压 | \( V{(BR)}DSS \) -30 V |
    | 导通电阻 \( R{DS(ON)} \) | \( R{DS(ON)} \) | 6.5 | 8.1 | 10 | mΩ @ -10V |
    | 栅极阈值电压 | \( V{GS(th)} \) | -1.0 | -1.65 | -2.5 | V |
    | 动态特性(输入电容) | \( C{iss} \) 3900 pF |
    | 动态特性(输出电容) | \( C{oss} \) 500 pF |
    | 动态特性(反向传输电容)| \( C{rss} \) 385 pF |
    | 热阻 | \( R{\theta JA} \) 41.7 °C/W |

    3. 产品特点和优势


    CJQ16P03 的核心优势体现在以下几个方面:
    1. 低导通电阻:典型值仅为 8.1 mΩ @ -10V,使得器件在高频开关应用中表现出色。
    2. 高可靠性:通过先进的沟槽制造工艺,确保长时间稳定运行。
    3. 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C 的工作温度范围使其适应各种恶劣环境。
    4. 高效能转换:低损耗特性减少能耗,提高整体系统效率。
    5. 紧凑设计:SOP8 封装体积小巧,便于 PCB 布局设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池保护电路:
    - 在电池管理系统中,CJQ16P03 可以用来检测电池过流状态并及时切断电路。
    2. 负载开关:
    - 在工业负载设备中,该器件可以快速切换负载,实现精准控制。
    使用建议
    - 为了进一步降低功耗,在选择栅极驱动时需确保 \( V{GS} \) 足够大,建议设置为 -10V 左右。
    - 配置散热片或优化 PCB 散热设计,以防止长期高电流工作导致过热。

    5. 兼容性和支持


    CJQ16P03 的 SOP8 封装与主流工业标准兼容,方便与其他器件协同工作。江苏长晶电子科技有限公司提供了详尽的技术文档和技术支持服务,帮助客户解决在开发过程中遇到的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 增加栅极驱动强度,缩短上升时间和下降时间。 |
    | 过温保护失效 | 确保良好的散热设计,必要时安装散热器。 |
    | 漏电流过大 | 检查焊接质量,避免虚焊现象。 |

    7. 总结和推荐


    CJQ16P03 是一款高性能的 P 沟道增强型功率 MOSFET,具备优异的导通电阻、低功耗和高可靠性,适合多种高要求应用场景。对于需要精确控制、高效率和稳定性强的应用场合,该产品无疑是理想的选择。
    推荐指数:★★★★★
    如果您正在寻找一款高性能、低成本且易于集成的功率 MOSFET,CJQ16P03 是您的不二之选!

CJQ16P03参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 -
配置 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.9nF@ 24V
Id-连续漏极电流 16A
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 6.5mΩ@-16A,10V
栅极电荷 69nC
通用封装 SOP-8
应用等级 工业级
零件状态 在售

CJQ16P03厂商介绍

CJ公司是一家全球领先的高科技企业,专注于研发和生产各类高科技产品。公司主营产品包括电子产品、通信设备、计算机硬件和软件等,广泛应用于消费电子、工业自动化、医疗健康、教育科研等多个领域。

CJ公司的产品分类主要有以下几个方面:
1. 电子产品:包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等。
2. 通信设备:包括基站、路由器、交换机等。
3. 计算机硬件:包括服务器、存储设备、网络设备等。
4. 计算机软件:包括操作系统、数据库、办公软件等。

CJ公司的优势主要体现在以下几个方面:
1. 技术创新:公司拥有强大的研发团队,不断推出创新产品,引领行业潮流。
2. 品质保证:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:公司提供全方位的售前、售中、售后服务,满足客户需求。
4. 市场布局:公司在全球范围内设有多个分支机构,产品远销世界各地。

CJQ16P03数据手册

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CJQ16P03封装设计

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