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BSS123

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 360mW 20V 2V@1mA 1.4nC 1个N沟道 100V 6Ω@ 0.17A,10V 170μA 29pF SOT-23 贴片安装
供应商型号: 15MM-BSS123 SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
CJ/江苏长晶(长电) 场效应管(MOSFET) BSS123

BSS123概述

    BSS123 N Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    BSS123 N Channel MOSFET 是一款采用SOT-23封装的小型表面贴装场效应晶体管(MOSFET)。它设计用于极高密度单元设计,具有极低的导通电阻(RDS(ON)),是电压控制的小信号开关。此款MOSFET以其坚固性和可靠性而著称。
    - 主要功能:电压控制的小信号开关
    - 产品类型:N通道MOSFET
    - 应用领域:
    - 小型伺服电机控制
    - 功率MOSFET门驱动器
    - 开关应用

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 漏-源电压 | VDS | 100 | V |
    | 栅-源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏电流 | ID | 0.17 | A |
    | 脉冲漏电流(tp=10us) | IDM | 0.68 | A |
    | 持续源-漏二极管电流 | IS | 0.17 | A |
    | 功耗 | PD | 0.35 | W |
    | 热阻(结到环境)| RθJA | 357 | ℃/W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ,TSTG | -55~+150 | ℃ |
    静态特性:
    - 漏-源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID = 250µA | 100 | V
    - 零栅电压漏电流 | IDSS | VDS = 100V, VGS = 0V | 1 µA | VDS = 20V, VGS = 0V | 10 | nA |
    - 栅-体泄漏电流 | IGSS | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±50 | nA |
    - 栅阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250µA | 1 | 1.6 | 2 | V
    - 漏-源导通电阻 | RDS(on) | VGS = 4.5V, ID = 0.17A | 3.8 | 10 | Ω | VGS = 10V, ID = 0.17A | 3.5 | 6 | Ω |
    - 前向跨导 | gFS | VDS = 10V, ID = 170mA | 80 | mS |
    - 二极管前向电压 | VSD | IS = 340mA, VGS = 0V | 1.3 | V |
    动态特性:
    - 输入电容 | Ciss | VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHz | 29 | 60 | pF |
    - 输出电容 | Coss | 10 | 15 | pF |
    - 反向传输电容 | Crss | 2 | 6 | pF |

    3. 产品特点和优势


    - 高密度单元设计:保证了极低的RDS(ON),适合高频和高速应用。
    - 坚固性和可靠性:能够在各种极端环境下稳定工作。
    - 电压控制的小信号开关:适用于多种控制应用。
    - 广泛应用:广泛应用于小型伺服电机控制、功率MOSFET门驱动器及开关应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 小型伺服电机控制系统:BSS123可用于精确控制电机的速度和方向,保证电机运行的平稳性和效率。
    - 功率MOSFET门驱动器:通过其低导通电阻,减少能量损耗,提高转换效率。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,确保散热良好,避免过热损坏。
    - 在电路设计时,考虑到开关频率的影响,选择合适的栅极电阻以优化开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:BSS123 MOSFET兼容多种标准SOT-23插座,与大多数现有的电路板设计兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档、样品和支持服务,以帮助客户进行产品测试和集成。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: BSS123的工作温度范围是多少?
    - A: BSS123的工作温度范围为-55℃至+150℃。

    - Q: 如何确定BSS123是否损坏?
    - A: 使用万用表测量栅-源电压和漏-源电压,确保在规定的范围内。如果出现异常读数,可能需要检查电路连接和电源。

    7. 总结和推荐


    总结:
    BSS123 N Channel MOSFET是一款高性能的MOSFET,以其低导通电阻、高可靠性、广泛的应用场景等特点脱颖而出。适用于多种控制和驱动场合,特别适合需要高效能和稳定性的应用。
    推荐:
    BSS123 MOSFET在多数应用场景下表现出色,是市场上极具竞争力的产品。强烈推荐用于对功耗、性能和可靠性要求较高的应用。

BSS123参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 29pF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@1mA
FET类型 1个N沟道
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 6Ω@ 0.17A,10V
最大功率耗散 360mW
Id-连续漏极电流 170μA
栅极电荷 1.4nC
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 SOT-23
安装方式 贴片安装

BSS123厂商介绍

CJ公司是一家全球领先的高科技企业,专注于研发和生产各类高科技产品。公司主营产品包括电子产品、通信设备、计算机硬件和软件等,广泛应用于消费电子、工业自动化、医疗健康、教育科研等多个领域。

CJ公司的产品分类主要有以下几个方面:
1. 电子产品:包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等。
2. 通信设备:包括基站、路由器、交换机等。
3. 计算机硬件:包括服务器、存储设备、网络设备等。
4. 计算机软件:包括操作系统、数据库、办公软件等。

CJ公司的优势主要体现在以下几个方面:
1. 技术创新:公司拥有强大的研发团队,不断推出创新产品,引领行业潮流。
2. 品质保证:公司严格把控产品质量,确保产品性能稳定可靠。
3. 客户服务:公司提供全方位的售前、售中、售后服务,满足客户需求。
4. 市场布局:公司在全球范围内设有多个分支机构,产品远销世界各地。

BSS123数据手册

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BSS123封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 0.084
250+ ¥ 0.078
1000+ ¥ 0.075
3000+ ¥ 0.072
6000+ ¥ 0.069
9000+ ¥ 0.066
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